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介质阻挡放电原子层沉积系统
DBD ALD (Dielectric Barrier Discharge Deposition System)介质阻挡放电原子层沉积系统基片尺寸:6英寸、8英寸、12英寸;加热温度:25℃~400℃(可选配更高温度);薄膜不均匀性:< &plusm
产品介绍

 

DBD ALD (Dielectric Barrier Discharge Deposition System)介质阻挡放电原子层沉积系统
基片尺寸:6英寸、8英寸、12英寸;
加热温度:25℃400℃(可选配更高温度);
薄膜不均匀性:< ± 2 % (1δ)
前驱体数:4路(可选配6路);
源瓶加热温度:25℃~200,控制精度±0.1
ALD阀:Swagelok快速高温ALD专用阀;
本底真空:< 2x10-1Pa,进口防腐泵;
控制系统:配备控制电脑,全自动电脑控制,自动工艺控制软件;或选择触摸屏系统控制。
电源: 交流电源220V/20A,5060Hz
设备尺寸:650 mm (L) x 600 mm (W) x 1000 mm (H)

介质阻挡放电1

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